專訪羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

作者: 侯冠州
2015 年 09 月 07 日
SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出採用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET,並已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。
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